562.【台股美股提款機】NAND Flash 產業：供不應求直至 2027 年中，唯報價上漲幅度趨緩

財報狗 · 2026-09-06

重點

章節

其他節目怎麼看

這一集談到的個股裡，有 7 檔在發布前 30 天內也被其他節目談到（同期共 9 個節目）：0 檔與其他節目同向、0 檔相反。

比較的是各節目公開說法之間的異同，不是對股價的判斷。看多、看空怎麼判定

記憶體產業深度解析：長江存儲追趕下的DRAM供需缺口與NAND Flash報價分歧

本文深入探討記憶體產業的兩大核心議題：首先是中國長江存儲崛起對DRAM市場中長期的潛在影響，分析其製程差距與良率瓶頸；其次是NAND Flash市場在下半年出現的結構性分歧，企業級SSD需求強勁，但消費性電子端因成本暴漲而出現漲價阻力。整體而言，短期供需缺口難解，但長期競爭格局的演變值得投資人密切關注。

長江存儲崛起引發疑慮：短期DRAM供需缺口難以撼動

近期市場對於長江存儲的關注度顯著提升，隨著其IPO後資訊透明度增加，其產能規模已躍居全球第三，引發投資人對DRAM產業供給過剩的擔憂。然而，從短期角度來看，DRAM市場供不應求的缺口並不會因為長江存儲的產能釋放而迅速填補。其產能擴張是一個逐步的過程，並非一夕之間就能大量開出，因此至少在2027年上半年以前，整體供需緊張的格局難以被顛覆。

儘管市場對長江存儲的擴產計畫感到憂心，但現階段的股價估值早已反映對2028年至2030年的長期展望。因此，投資人更應聚焦於長江存儲在中長期是否會對產業帶來實質的風險。不可否認，任何大規模的產能投入都不可能對市場完全沒有影響，其潛在的價格壓力確實存在，但影響程度取決於其技術發展的方向與速度。

製程差距達三代以上：長江存儲在先進製程上的良率與成本劣勢

回顧兩三年前的觀點，當時市場已注意到中國在半導體設備上的瘋狂採購，如今看來，長江存儲的競爭態勢並未出現根本性的改變。分析DRAM產業的競爭，必須將其劃分為先進製程與成熟製程兩個面向。目前長江存儲的製程大約落在16奈米，相當於EY世代，相較於三星、SK海力士與美光等巨頭已推進至EGAMA或更先進的世代，存在約三到四個世代的顯著差距。

在先進製程領域，這種差距直接反映在成本結構上。由於晶粒尺寸（Die Size）較大，且良率遠低於一線大廠，長江存儲的單位位元產出成本明顯偏高。根據其招股書揭露的資訊，成本表現落後主要源於良率不佳。因此，即便其晶圓投片量名目上成長迅速，但考量良率與製程落後的位元損失後，其實際對市場供給的衝擊將大打折扣。

先進製程的良率障礙：五年內難以對一線大廠構成實質威脅

雖然長江存儲產能已位居全球第三，但扣除良率折損後，其實際有效產出遠低於表面數字。隨著DRAM技術持續朝HBM與3D DRAM等更複雜的堆疊方向發展，製程難度與良率挑戰只會越來越高。即使是三星、SK海力士與美光等一線大廠，在HBM3E的良率也僅約七至八成，與傳統DDR5的95%以上良率差距甚大。

若長江存儲選擇強攻先進製程，其落後製程帶來的良率損耗將更為嚴重，反而削弱其供給衝擊。相較之下，若其轉向搶攻DDR3、DDR4等成熟製程市場，則對南亞科與華邦電等台灣業者將帶來較大的直接競爭壓力。目前觀察，長江存儲似乎更傾向於往先進製程邁進，這使得成熟製程端的短期壓力相對較小，而先進製程端的影響也因良率障礙而處於可控範圍。

設備取得與國產化突破：長江存儲五年內追趕的極限與變數

在先進製程的追趕上，良率是長江存儲短期內難以克服的障礙。連一線大廠在HBM與未來3D DRAM的良率都仍處於前期階段，更何況是製程落後數代的追趕者。此外，隨著美國對先進半導體設備的出口管制，長江存儲在獲取下一代尖端設備上將面臨極大限制。雖然市場傳言中國透過國產設備突破或神秘管道取得設備，但要在五年內縮小三代以上的製程差距，難度極高。

儘管如此，中國追趕的決心不容忽視。在國產化趨勢的推動下，中國政府強力扶持本土供應鏈，加上長江存儲在景氣上行週期中累積了豐厚的獲利與募資能力，使其擁有龐大的資金彈藥進行研發與擴產。這使得五年後（約2030年）的競爭版圖充滿變數，技術差距能否持續保持，將是未來記憶體產業最大的不確定性。

資金與內需優勢：長江存儲的長期潛在威脅不容小覷

雖然五年內長江存儲難以拉近技術差距，但其手握多重優勢。在中國國產替代的風潮下，國內數據中心與AI模型訓練業者被要求優先採購國產晶片，這為長江存儲提供了龐大的內需市場與試錯機會。此外，受惠於記憶體價格大漲，其獲利表現亮眼，毛利率甚至一度高達六至七成，成為中國市值最大的上市公司之一。

IPO後募得的鉅額資金，加上本業強勁的現金流，賦予長江存儲強大的再投資能力。更值得注意的是，其部分型號的報價甚至高於海外競爭對手，打破了中國晶片只會低價搶市的刻板印象。這些資金與市場優勢，使其在長期抗戰中具備了不容忽視的續航力，這也是為何市場對五年後的競爭格局感到難以預測的主因。

NAND Flash上半年回顧：報價飆漲後，下半年漲勢趨緩但健康

回顧NAND Flash第二季的表現，一如預期地亮眼。由於產能短期內難以大幅提升，營收成長主要來自於報價的強勁上漲。展望下半年，雖然供需缺口依然存在，但報價漲幅將從上半年的暴衝（年增80%-100%）回歸至穩健的增長軌道。這種「趨緩」並非轉空，而是回歸常態。

市場上有所謂「漲幅趨緩即為利空」的誤解，但實際上，每季若能維持10%左右的低雙位數漲幅，已是非常驚人的表現。以台積電為例，其先進製程漲價10%-15%已被業界視為重大事件。因此，NAND Flash下半年若能維持每季穩健的10%漲幅，對記憶體原廠的獲利仍將是強而有力的支撐。

低雙位數漲幅的意義：從暴漲回歸穩健，產業體質轉佳

市場對於漲幅從80%降至10%容易產生「衰退」的錯覺，但這其實是產業回歸健康的跡象。過去記憶體產業的常態是，報價能調漲5%已屬不易。如今在下半年仍能保有低雙位數的季增率，顯示供需結構依然緊俏。這種穩健的擴張，相較於猛暴性的上漲，更有利於產業中長期的發展。

如同股市中穩健的上漲往往比劇烈波動更持久，NAND Flash報價的「趨緩」並不代表景氣到頭，而是代表市場從恐慌性搶購回歸到理性評估。只要供需缺口沒有根本性的緩解，價格就依然具備支撐，這對於評估記憶體族群的估值至關重要。

企業級與消費性市場分歧：伺服器SSD獨強，手機PC漲價承壓

進入下半年，NAND Flash市場出現了顯著的結構性分歧。企業級SSD（Enterprise SSD）需求持續強勁，但消費性電子（Client SSD、Mobile NAND）的報價漲幅將明顯趨緩。主因在於記憶體成本佔比暴漲，從過去的10%-15%飆升至40%-50%，嚴重擠壓了手機與PC製造商的利潤空間。

以蘋果為例，其毛利率約二至三成已屬業界頂尖，但面對記憶體成本翻倍式的上漲，低階產品線幾乎無利可圖。這導致下游系統廠開始抵制漲價，甚至寧可縮減採購量或調整產品組合，將資源集中於高階高毛利機種。這種「供給抑制需求」的現象，並非終端消費力減弱，而是製造端因成本過高而主動減產，是典型的供給衝擊。

數據中心採購意願強勁：價格彈性低，競爭性投資驅動需求

相較於消費性市場的價格敏感，伺服器端（數據中心）對NAND Flash的採購意願依然高漲。這主要歸因於兩點：首先，Google、亞馬遜與微軟等超巨型數據中心業者毛利率極高，對記憶體成本上漲的承受度遠優於消費性電子廠商。其次，對這些雲端巨頭而言，記憶體更像是一項長期的資產投資，而非當期的費用成本。

在AI軍備競賽的背景下，數據中心業者視投資為長期競爭力的關鍵，深怕不投資就會失去市佔率。這種競爭性投資的心態，加上部分業者已開始看到AI投資的現金流回收，使得伺服器端的記憶體需求保持高度的價格彈性，成為支撐整體NAND Flash報價的關鍵力量。

長約機制典範轉移：從君子協議到強制性採購與價格上限

近期記憶體產業簽訂的長約（Long-Term Agreement）與過往有本質上的不同。過去的長約多半僅提供需求能見度，缺乏強制性的採購約束，毀約成本極低。然而，以美光為首的業者在此次週期中，不僅要求客戶綁定未來五年的採購量，更引入了「Take or Pay」的強制性條款與高額預付押金（甚至高達合約價值的20%）。

雖然長約中設定了價格上限，壓抑了短期報價的爆發力，但這也為記憶體原廠換取了前所未有的長期營運能見度。對於厭惡暴起暴落的記憶體大廠而言，犧牲短期價格動能以換取穩定的現金流與產能規劃，是理性的經營決策。市場目前對長約多持負面解讀，擔憂價格錨定效應，但若這些條款能有效執行，將有助於重塑記憶體產業的估值模式，降低景氣循環的波動性。

DRAM與NAND Flash需求重疊：AI驅動的外溢效應

在AI浪潮下，DRAM與NAND Flash的用途開始出現重疊。由於DRAM（特別是HBM）供給極度吃緊，輝達等AI晶片業者與雲端大廠開始將部分KV Cache卸載（Offload）至NAND Flash，使其作為類DRAM的輔助運算角色。這種需求外溢效應，為NAND Flash帶來了超越傳統儲存應用的全新成長動能。

這意味著，只要DRAM的供需缺口持續存在，NAND Flash就很難獨自轉為供過於求。兩者的產業景氣連動性在AI時代顯著提高。雖然長期來看，若DRAM供給恢復，這部分替代需求可能消失，但至少在未來一年內，這種雙重需求拉動的格局將持續支撐NAND Flash的強勁需求。

供給端保守與資本支出挪移：2027年前供需缺口難解

展望明年的供給狀況，NAND Flash的位元供給成長率預估維持在20%左右的歷史平均水準，並未因價格上漲而出現大幅擴張。主因在於多數記憶體大廠如三星、SK海力士與鎧俠等，同時擁有DRAM與NAND Flash產線。在DRAM利潤更高且缺口更大的情況下，廠商傾向將資本支出優先分配給DRAM，這限制了NAND Flash的供給成長速度。

此外，雖然長江存儲在NAND Flash領域的產能擴張較為積極，但一線大廠在製程跳躍（如跳代升級）時往往伴隨良率損失，抵銷了部分產能開出的效果。綜合供需兩端來看，從現在到2027年上半年，NAND Flash市場出現供過於求的機率極低，產業榮景可望延續。

結論

綜合分析，記憶體產業正處於一個結構性轉變的關鍵時期。短期內，無論是DRAM或是NAND Flash，供不應求的格局都將持續主導市場，為相關業者帶來豐厚的獲利。然而，投資人必須正視長江存儲等中國勢力在國家力量與內需市場支撐下的長期追趕，這將是未來五到十年產業版圖的最大變數。此外，隨著NAND Flash市場出現消費性與企業級的分歧，以及長約模式的典範轉移，傳統的報價分析框架可能逐漸失靈，回歸真實的供需基本面與技術趨勢，將是掌握此波記憶體大循環的關鍵。

相關個股

產業 / 題材