第三代半導體

第三代半導體以碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等寬能隙材料為核心,應用於高功率、高頻電子元件。台灣在此題材中扮演晶圓代工、磊晶及元件製造的關鍵供應鏈角色,納入標準為直接從事相關材料、製程或產品的公司。

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