未來兩年AI的成長速度由「它」決定！ 2026.09.14

財經一路發 · 2026-09-14

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AI盛世下的半導體狂潮：台積電先進製程擴產解密與供應鏈投資藍圖

在AI需求前所未有的強勁帶動下，台積電正經歷半導體史上罕見的成長盛世，年增率突破五成。本文將深度剖析其從先進製程、封裝技術到關鍵客戶需求的完整布局，並探討輝達供貨瓶頸與相關供應鏈的投資機會。

半導體罕見的成長盛世：台積電先進製程擴產與AI需求的結構性轉變

目前半導體產業正經歷前所未有的成長盛世，台積電的營收年增率甚至可達五成以上，這在過去是難以想像的。以往半導體產業成長率落在十幾個百分點，台積電能有20%的成長已屬優異，但如今AI驅動的需求徹底改變了產業的成長軌跡。

從製程布局來看，台積電最先進的2奈米製程預計從今年底的月產9萬片，擴增至明年的11萬片，主要應用於高階智慧型手機，例如蘋果未來的摺疊機。然而，更值得關注的「異常」亮點在於3奈米製程，其產能預計從年底的18萬片增長至明年中的21萬片。在正常的半導體產品週期中，一個製程節點在量產數年後出貨量理應開始下滑，但3奈米卻持續擴張，這直接證明了AI需求的強勁力道，也是台積電能實現跳躍式成長的關鍵。

台積電財務長也指出，過去的成長動能主要仰賴GPU，但現在客戶需求已廣泛擴及ASIC（如谷歌的TPU）、x86架構的CPU，甚至是網路晶片。這意味著幾乎所有類型的晶片都在進行升級，全面性的需求爆發為台積電提供了多元且強勁的成長來源。

此外，高頻寬記憶體（HBM）的製程演進也出現跳躍式發展。以往HBM的製程會從12奈米逐步微縮至7奈米、5奈米，但現在為了滿足AI對低功耗與高頻寬的嚴苛要求，HBM4的下一代產品將直接跳升至3奈米製程。這種跳升不僅能降低約四至五成的功耗，更能提升2.5倍的頻寬，進一步推升對台積電先進製程的依賴。

台積電的技術護城河：從1.6奈米超級電軌到High-NA EUV的策略抉擇

台積電在先進製程的技術藍圖上持續推進，其中1.6奈米節點將導入「超級電軌」（背面供電）技術。這項技術的關鍵在於，隨著晶片運算效能提升，功耗也隨之增加，需要更粗的電源線，但晶片面積有限，因此必須將電源線路移至晶圓背面，正面則保留給訊號線路。這項架構的改變將帶動晶圓薄化的需求，相關的背面清洗、蝕刻等製程將在明年成為重要的技術趨勢，為相關設備與材料供應商帶來實質的營收成長機會。

在極紫外光（EUV）微影設備的選擇上，台積電展現了其精準的成本控制策略。相較於英特爾在1.6奈米製程就率先採用每台要價4億美元的新一代High-NA EUV設備，台積電現階段選擇沿用現有的Low-NA EUV設備，透過雙重曝光技術來達成精細線路。雖然雙重曝光會增加步驟並可能影響良率，但台積電認為，只要良率維持在九成以上的高水準，其總體成本仍遠低於採用昂貴的High-NA設備。該公司預計在2030年後，當線路精細度要求超越雙重曝光的極限時，才會正式導入High-NA EUV，這種務實的技術導入策略，有效鞏固了其成本競爭優勢。

在先進封裝領域，台積電的CoWoS產能規劃至關重要。預計到2026年底，CoWoS月產能約為13萬片，至2028年將倍增至26萬片。若考量光罩尺寸從目前的3.3倍逐步放大至5.5倍，甚至2028年預計達到的14倍，其等效產能的增長將更為可觀。光罩尺寸的放大，意味著單一光罩能容納的晶片面積增加，例如輝達的GB300需放置4顆GPU，未來隨著光罩放大，可能僅需2顆甚至1顆GPU，這將大幅提升封裝效率與效能。

面對光罩尺寸持續放大的物理極限與成本挑戰，台積電已備妥兩手策略，積極發展3D堆疊的SOIC技術。即便未來2D平面的光罩尺寸遭遇瓶頸，仍可透過3D堆疊方式持續提升晶片整合度與效能。此外，針對英特爾的EMIB技術，台積電也具備類似的解決方案，顯示其在先進封裝領域的全面布局，無論是自有的CoWoS或潛在的替代方案，都能確保其持續站在半導體製造的領導地位。

先進封裝的極限與未來：從CoWoS光罩演進到CPO量產的現實瓶頸

台積電今年量產的CoWoS最大光罩尺寸已達5.5倍，這已是全球的極限，但預計到2028年將進一步推向14倍。然而，業界對於光罩越做越大存在疑慮，因為當從四顆GPU整合為兩顆，甚至一顆GPU時，雖然面積效率提升，但製造難度與成本也同步飆升，且效能是否符合預期仍是未知數。為此，台積電的3D堆疊SOIC技術成為關鍵的互補策略，透過垂直堆疊來突破平面微縮的極限，確保其在封裝技術上的發展不受單一路徑的限制。

在外部合作方面，聯發科為谷歌設計的TPU V9，預計在2027年需要9倍光罩尺寸的封裝，但台積電本身在2028年的技術路徑是直接跳至14倍。從產能規模來看，EMIB一年僅約兩萬片的需求，相較於台積電自身龐大的CoWoS產能，占比極低，因此台積電在技術與產能上都有能力涵蓋此類需求，甚至能在英特爾供應不及時，提供類似的EMIB-like解決方案，展現其在先進封裝領域的強大競爭力。

至於市場高度關注的共同封裝光學（CPO），目前仍面臨嚴峻的量產挑戰。儘管有廠商不計成本小量出貨，但真正的大量產階段預計要等到2028年之後。主要的瓶頸在於：第一，規格尚未統一；第二，光纖對準的良率問題極為棘手，尤其當一個ASIC可能連接高達1024條光纖時，任何一條對位失誤都會導致良率驟降；第三，相關的測試規格與方法也尚未成熟。這些現實的技術障礙，使得CPO的普及仍需時間克服。

關於大立光的評價，市場近期出現波動。先前股價一度上漲至8000元，反映了投資人對其切入CPO光學元件（如FAU）的過度樂觀預期。然而，從產業實際進程來看，CPO的大量商轉仍需數年時間，因此近期股價的修正屬於對先前過度反應的調整。儘管如此，大立光在精密光學的技術地位依然穩固，隨著2027年後矽光子與光通訊趨勢逐步發酵，其長期發展仍值得關注，但投資人需理性看待技術商轉的現實時程。

輝達的成長緊箍咒：先進封裝產能瓶頸與新規格帶動的供應鏈商機

輝達目前的出貨成長並非受限於市場需求，而是卡在台積電的先進封裝產能。據悉，輝達明年的成長預估為七成，但這是在產能極限下的保守估計，若產能充足，成長幅度將更為驚人。主要的瓶頸環節在於CoWoS封裝，雖然市場也期待CoPoS（玻璃基板）等新技術，但從矽中介層轉換至玻璃中介層的技術難度極高，短期內難以快速量產，因此供給緊張的狀況仍將持續。

台積電在先進封裝的擴產上採取穩健策略，除了自身擴產外，也將部分訂單委外給日月光投控等OSAT業者，但其核心目的在於確保先進製程晶片的出貨順暢，而非追求封裝業務本身的獲利極大化。這種有瓶頸的逐步擴張，反而有助於產業長期健康發展，避免一次性爆量後陷入產能過剩的風險。對輝達而言，七成的成長已屬優異，而供給緊張的環境也支撐了其產品的價格與利潤。

從輝達新產品規格演進來看，有兩大商機值得關注。首先是運算托盤（Compute Tray）的設計，將帶動高階印刷電路板（PCB）與銅箔基板（CCL）的需求。隨著AI伺服器運算密度提升，對PCB的層數、面積與材料規格要求更為嚴苛，為相關業者帶來明確的成長動能。其次，新平台的功耗大幅攀升，例如下一代平台功耗可能高達2000瓦，這將全面驅動散熱、電源管理等周邊零組件的升級需求，形成龐大的衍生商機。

結論

綜合來看，AI驅動的半導體需求正處於結構性爆發的初期，台積電憑藉其全面的先進製程與封裝技術布局，成為此波浪潮中最大的受惠者。從3奈米的異常擴產到2奈米的穩健推進，再到先進封裝技術的持續演進，均顯示其成長動能無虞。然而，投資人也需留意，輝達等關鍵客戶的成長正受制於先進封裝產能，而CPO等新技術的商轉仍需時間。在此盛世之下，聚焦技術領導者並理性評估新技術的成熟度，將是掌握本波AI投資機會的關鍵。

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